Budući da svi znamo da su u cjepivu čipovi, zanima me ima li u ovim čipovima cjepiva? Jesu li sigurni za korištenje? Mogu li cjepivom protiv korone svoj stari laptop zaraziti s novim čipovima?
Intel najavio najbrži mobilni CPU na svijetu s 24
- poruka: 9
- |
- čitano: 10.942
- |
- moderatori:
vincimus
- +/- sve poruke
- ravni prikaz
- starije poruke gore
Kitu labudovu najbrzi, i onda to usporedis s Apple m1 ili m2/pro i sve padne u vodu od perfomasni do potrosnje itd itd
Ne bih se tu složio.
Macbook procesori vode u performance/watt, ali što se tiče same snage, prešišani su.
Bazično, radi se o 10nm procesu, dok konkurencija već dugo nudi 5nm procesore i štanca 3nm.
A promo objave dobro zvuče samo dok netko ne pusti realni benčmark.
Ne bih se tu složio.
Macbook procesori vode u performance/watt, ali što se tiče same snage, prešišani su.
Sve 5 osim Renault 4 katrce !
Baš me živo pere i zanima odnos u kontekstu dok izađu M3 (Bembara) kod Apple branda?!
Nekako očekujem opet pranje poda sa konkurencijom?!
@uuY
Dobro, sve 5, ali danas ti te brojke kod oznake procesa ne znače ništa.
Nije nužno "5 nm" procesor efikasniji od 10 nm, jer te brojke ne označavaju nikakve dimenzije, nego generaciju tehnologije, a Moore odavno više ne vrijedi.
Dobit iz prelaska na novu generaciju je par posto a cijene rastu i duplo, a sad kad je i FinFET otišao u povijest cijene budu opet išle još dodatno gore.
Ukratko: niti je Intelov 10 nm 3 puta lošiji od 3 nm, ali jeftiniji je sigurno i više od 3x, tak da je i bolje da ga se drže čim duže.
Jer kad i oni odbace taj proces i krenu na niži eto nam i procesora niže klase od 3000$ MSRP....
Kada bi to o cijeni bilo točno, mobitelski procesori bi bili skuplji od i9.
Kad ono - nisu.
Zakaj bi bili, pa proizvode se istom tehnologijom, EUV i FinFET, pa ak su isti nodeovi moraju koštat isto po jedinici površine (naravno ovisno ko kakvu cijenu dogovori).
Tak da ti cijena u istom procesu okvirno ovisi samo o površini čipa.
A ono kaj pričam: https://www.digitimes.com/news/a20210713VL201.html
Intel ti u 10 nm procesu ima istu gustoću tranzistora kao Samsung u 3 nm, a Samsung nemre biti konkurentan po cijeni po tranzistoru jer nemru više koristit FinFET u 3 nm procesu, pa koriste hibridnu varijantu gate all arounda koji im i nije baš nekaj i vrijedio bude samo jednu generaciju.
I onda ti na kraju ispadne da u nazivno manjem procesu ni nemaju neku prednost u efikasnosti jer im se pojavljuju novi parazitni kapaciteti, i opet budu morali mijenjati cijeli proces da bude efikasan na još manjim procesima.
I tako u krug...
Mislim, ok je da se guraju novi nodeovi, ali je isplativost puno manja za skoro pa nikakve dobitke, i nikad se ne bude pojavio proizvodni proces koji može bar po približnoj cijeni po tranzistoru biti konkurentan, jednostavno je tu fizička granica i gotovo.
Zakaj bi bili, pa proizvode se istom tehnologijom, EUV i FinFET, pa ak su isti nodeovi moraju koštat isto po jedinici površine (naravno ovisno ko kakvu cijenu dogovori).
Tak da ti cijena u istom procesu okvirno ovisi samo o površini čipa.
A ono kaj pričam: https://www.digitimes.com/news/a20210713VL201.html
Intel ti u 10 nm procesu ima istu gustoću tranzistora kao Samsung u 3 nm, a Samsung nemre biti konkurentan po cijeni po tranzistoru jer nemru više koristit FinFET u 3 nm procesu, pa koriste hibridnu varijantu gate all arounda koji im i nije baš nekaj i vrijedio bude samo jednu generaciju.
I onda ti na kraju ispadne da u nazivno manjem procesu ni nemaju neku prednost u efikasnosti jer im se pojavljuju novi parazitni kapaciteti, i opet budu morali mijenjati cijeli proces da bude efikasan na još manjim procesima.
I tako u krug...
Mislim, ok je da se guraju novi nodeovi, ali je isplativost puno manja za skoro pa nikakve dobitke, i nikad se ne bude pojavio proizvodni proces koji može bar po približnoj cijeni po tranzistoru biti konkurentan, jednostavno je tu fizička granica i gotovo.
Intel na 10nm ima node density od 100.76 MTr/mm2 dok TMSC ima 96 MTr/mm2 na 7nm. Medjutim TMSC je trenutno na 3nm i ima 220 MTr/mm2, sto je vise od duplo. Samsung ce na novom 3nm nodu imati izmedju 150-180 MTr/mm2, ali je jos u testnoj fazi.